У поређењу са другим технологијама приказа, ЛЕД екрани имају предности самоосветљења, добре перформансе опоравка боје, високе стопе освежавања, уштеде енергије и лаког одржавања. Висока осветљеност, спајање и велика величина су одлучујући фактори за брзи раст ЛЕД дисплеја у последње две деценије. У категорији спољних дисплеја са великим екраном, ниједна друга технологија не може да се такмичи са технологијом ЛЕД дисплеја.
Међутим, у прошлости су недостајали и ЛЕД дисплеји. На пример, растојање између упакованих перли лампе је велико, а резолуција ниска, што није погодно за посматрање у затвореном и блиско. Да би се побољшала резолуција, потребно је смањити размак између перли, али је смањена величина перли лампе. Иако се резолуција целог екрана може побољшати, цена ће брзо расти, а цена ће бити превисока да би утицала на ЛЕД екран малог корака Широк спектар комерцијалних примена. .
Последњих година, уз напоре произвођача чипова и паковања, произвођача ИЦ кола и произвођача екрана, цена уређаја са једним пакетом је све нижа и нижа, ЛЕД пакет уређаји су све мањи и мањи, а нагиб пиксела екрана је све мањи. постају све мањи и мањи. Бити све мањи и мањи. Све већа и виша резолуција чини предности ЛЕД дисплеја малог корака у унутрашњим екранима са великим екраном све очигледнијим.
Тренутно се ЛЕД диоде малог тона углавном користе у рекламним медијима, стадионима, сценама, општинском инжењерингу, итд., И с времена на време отварају тржишта у областима транспорта, емитовања и војске. Процењује се да ће до 2018. године тржиште бити близу 10 милијарди. Предвидљиво је да ће у наредних неколико година ЛЕД дисплеји малог корака с времена на време проширити тржишни удео, истискујући тржишни простор ДЛП задње пројекције. Према проценама Евербригхт Сецуритиес Ресеарцх Институте, до 2020. мали размак Л
Пре свега, потражња за ЛЕД чиповима за ЛЕД дисплеје малог корака
ЛЕД чип је центар ЛЕД дисплеја и игра виталну улогу у развоју ЛЕД диода малог корака. Тренутна достигнућа и будући развој ЛЕД дисплеја малог корака зависе од непрекидних напора чипа.
С једне стране, нагиб тачака на екрану у затвореном простору се постепено смањивао са П4 у раним данима на П1.5, а П1.0 и П0.8 су у развоју. Сходно томе, величина перле лампе је смањена са 3535, 2121 на 1010. Неки произвођачи су развили величине 0808 и 0606, а неки произвођачи развијају величине 0404.
Добро је познато да се смањује величина перли за паковање, што неизбежно захтева смањење величине чипа. Тренутно је изглед обичних плаво-зелених чипова за екране малог корака око 30 милс2, а локалне фабрике чипова су масовно производиле чипове од 25 милс 2 или чак 20 милс 2.
С друге стране, спољни производи чипа су постали мањи и осветљеност једног језгра је опала, а низ проблема који утичу на квалитет екрана постао је изражен.
Први је захтев за сивим тоновима. За разлику од спољашњих екрана, тешкоћа захтева за екранима у затвореном не лежи у осветљености, већ у сивим тоновима. Тренутно, захтев за осветљењем великог екрана у затвореном простору је око 1500 цд/м2-2000 цд/м2, осветљеност ЛЕД дисплеја малог корака је генерално око 600 цд/м2-800 цд/м2, а најбоља осветљеност за дуго- термин приказ је 100 цд. /м2-300цд/м2 или тако.
Један од тренутних изазова ЛЕД екрана малог корака је [ГГ] куот;слабо осветљење и ниска сива. [ГГ] куот; Другим речима, сива скала није довољна при малој осветљености. Да бисте употпунили [ГГ] куот;слабо светло и високо сиво [ГГ] куот;, тренутни план на страни паковања је црна заграда. Пошто се црни носач слабо рефлектује на чип, потребно је да чип има довољну осветљеност.
Други је да се покаже просечан проблем. У поређењу са традиционалним екранима, висина постаје мања, што узрокује проблеме као што су накнадни сјај, тама првог скенирања, мало црвенило и ниска неједнакост у сивим тоновима. Тренутно, с обзиром на проблеме накнадног сјаја, првог скенирања и ниског нивоа сиве, и страна паковања и контролна страна ИЦ-а су покушали да ефикасно ублаже ове проблеме, а проблем просечне осветљености испод ниског нивоа сиве је такође исправљен за тачка. . Технологија је олакшала. Међутим, као један од основних узрока проблема, потребно је више напора на страни чипа. Детаљно, просечна осветљеност је боља при малој струји, а паразитска капацитивност је боља.
Треће је питање безбедности. Тренутни индустријски стандард је да је дозвољена вредност мртве стопе ЛЕД-а десетхиљадити део, што очигледно није погодно за ЛЕД дисплеје малог корака. Пошто је густина пиксела екрана малог корака релативно велика и интервал посматрања је релативно близак, ако постоји мртво светло у 10.000, ефекат је неподношљив. У будућности, потражња за стопом мртвог светла ће бити контролисана на стохиљадити или чак милионити део како би се задовољиле потребе дуготрајне употребе.
Уопштено говорећи, за развој ЛЕД диода малог корака, захтеви за део чипа су: смањење величине, релативно побољшање осветљености, добра дивергенција светлине при малим струјама, добра дивергенција паразитске капацитивности и висока поузданост.
Друго, план обраде краја чипа
1. Смањење величине Смањење величине чипа
Споља, ово је питање дизајна величине. Чини се да се то може решити само пројектовањем мање величине према захтевима. Али да ли ће смањење величине чипа престати на неодређено време? Одговор може бити негативан. Постоји неколико разлога за ограничавање смањења величине чипа:
(1) Ограничења обраде амбалаже. У процесу паковања постоје два фактора која ограничавају смањење величине чипа. Једно је ограничење млазнице. Чип треба да покупи чип, а кратка страна чипа мора бити већа од унутрашњег пречника млазнице. Тренутно је унутрашњи пречник исплативе млазнице око 80 ум. Друго је ограничење везивања жице. Пре свега, бобина, односно чип електрода мора бити довољно велика, иначе се не може гарантовати поузданост спајања жице. Најмањи пречник електроде у индустрији је 45 ум. Друго, растојање између електрода мора бити довољно велико, иначе ће две жичане везе неизбежно ометати једна другу.
(2) Ограничења обраде чипова. Обрада чипа такође има два ограничења. Једно је ограничење планирања величине. Поред ограничења горе поменутог краја пакета, величина електрода и размак између електрода, размак између електрода и МЕСА, ширина линија писача, размак граничних линија различитих слојева, итд. имају своја ограничења, карактеристике струје чипа, способност СД процеса и могућност обраде фотолитографије. . Решен је обим детаљног ограничења. Генерално, минимално растојање између П електроде и ивице чипа биће ограничено на више од 14 μм.
Други је ограничавање способности резања. Процес механичког спајања СД сечења + има ограничења, а величина чипа може бити премала да би се сломила. Како се пречник облатне повећава са 2 инча на 4 инча, или на 6 инча у будућности, потешкоће сечења сечива се повећавају, а величина обрађеног чипса ће се повећати. Узимајући за пример филм од 4 инча, ако је дужина кратке стране чипа мања од 90 микрона, а однос страница већи од 1,5:1, губитак приноса ће се значајно повећати.
На основу горе наведених разлога, аутор храбро предвиђа да након што се величина чипа смањи на 17 мил2, дизајн и обрада чипа могу достићи границу. Осим ако не дође до великог пробоја у шеми технологије чипова, нема места за смањење.
2. Повећана осветљеност
Побољшање осветљености је стална тема за чипове. Фабрика чипова оптимизује и оптимизује унутрашње квантне ефекте кроз епитаксијалне процедуре, и побољшава спољашње квантне ефекте кроз прилагођавање структуре чипа.
Међутим, с једне стране, смањење величине чипа неизбежно доводи до смањења површине области која емитује светлост, а осветљеност чипа се смањује. С друге стране, нагиб тачке на дисплејима са малим кораком је смањен, а захтев за осветљеност једног чипа је смањен. Постоји комплементаран однос између то двоје, али постоји суштина. Тренутно, да би се смањили трошкови, страна чипа углавном одузима структуру, што обично смањује осветљеност. Стога је питање на које индустрија треба да обрати пажњу како уравнотежити компромисе.
3. Бифуркација под малом струјом
Упоредите такозвану ниску струју са струјом традиционалних унутрашњих и спољашњих тестова чипова. Као што је приказано на слици испод, крива ИВ чипа, традиционални унутрашњи и спољашњи чипови раде у линеарном радном подручју, струја је веома велика. ЛЕД чипови малог корака морају да раде у нелинеарном радном подручју близу 0, а струја је премала.
У нелинеарном радном подручју, на ЛЕД чип утиче праг пребацивања полупроводника, а разлика између чипова је очигледнија. Да би се анализирао дисконтинуитет светлине и таласне дужине чипа великих размера, лако је видети да је дисперзија у нелинеарном радном подручју много већа од дисперзије у линеарном радном подручју. Ово је инхерентан изазов тренутним чиповима.
Метод за решавање овог проблема је да се прво оптимизује правац проширења да би се смањила доња граница линеарне радне површине; други је оптимизација цепања чипова, која разликује различите карактеристичне чипове.
4. Дивергенција паразитске капацитивности
Тренутно не постоји услов на страни чипа за директно мерење капацитивних карактеристика чипа. Однос између карактеристика капацитивности и традиционалних мерних јединица је још увек нејасан, и чека се да се индустрија сумира. Правац оптимизације на страни чипа је једнократно подешавање, а други је побољшање електричне класификације, али цена је висока и не препоручује се.
5. Поузданост
Поузданост паковања чипова може се окарактерисати различитим параметрима током паковања чипова и старења. Али генерално, фактори који утичу на поузданост чипа иза екрана су углавном концентрисани на ЕСД и ИР.
ЕСД се односи на способност отпора на статички електрицитет. Према ИЦ индустрији, више од 50% кварова чипа је повезано са ЕСД-ом. Да би се побољшала поузданост чипа, неопходно је побољшати ЕСД таленте. Међутим, под истом епитаксијалном плочицом и истом структуром чипа, величина чипа постаје мања, што неминовно доводи до слабљења ЕСД-а. Ово је директно повезано са густином струје и карактеристикама капацитета чипа и не може му се одупрети.
ИР се односи на обрнуто цурење и обично се мери при фиксном обрнутом напону. ИР одражава број дефеката унутар чипа. Што је већа ИР вредност, то су очигледнији унутрашњи дефекти.
Да би се побољшале ЕСД и ИР перформансе, мора се направити више оптимизација у епитаксијалној структури и структури чипа. У случају складиштења чипова, након строгих спецификација, ЕСД и чипови са слабим ИР перформансама могу се ефикасно уклонити, чиме се побољшава поузданост чипова на чипу.
Четири, резиме
Укратко, са напретком науке и ажурирањем времена, развој индустрије ЛЕД екрана постао је све популарнији, али индустријски ефекат екрана се коначно побољшао, а незапослени су с времена на време вредно радили. време.
