Одговор: ЦГС је ЛСИ формиран од стране СХАРП-а користећи нову [ГГ] куот;технологију раста у чврстој фази [ГГ] куот; који у суштини парира монокристалном силицијуму у смислу функције и перформанси. Кроз овај третман, ЦГС одржава континуитет граница зрна силицијума на атомском нивоу, тако да брзина кретања електрона у полупроводнику може бити 600 пута већа од аморфног силицијумског ТФТ-а и 4 пута већа од нискотемпературног полисилицијума. Ова врста технологије може бити дигитално коло или дисплеј са течним кристалима који се у потпуности комбинују да би постали екран високе дефиниције.
